白水 信弘 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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大畠 賢一
日立デバイス
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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大植 栄司
日立
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大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
日立製作所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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荒川 文彦
日立デバイス
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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山下 寛樹
(株)日立製作所中央研究所
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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千葉 博之
(株)日立超LSIシステムズ
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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會田 辰洋
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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伊藤 雅広
(株)日立製作所中央研究所
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島本 裕巳
日立デバイス
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會田 辰洋
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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山下 寛樹
日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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高橋 毅
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
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高橋 毅
(株)日立超lsiシステムズ
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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吉岡 博之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所, 家電研究所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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丹場 裕子
(株)日立製作所
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武内 勇介
(株)日立製作所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
著作論文
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討