フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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遮断周波数140GHzのSiGe BiCMOS プロセスを用いて、次世代光通信規格である40-43Gb/s動作の16:1多重(マルチプレクサ)および1:16分離(デマルチプレクサ)LSIを開発した。本LSIは40-43GHzのフルレートクロックで動作させることで、ジッタの発生を抑制し、高い受信感度を実現している。また、16パラレルに分離された2.5-2.7Gb/s低速パラレル側のインタフェースには、OIFのSFI-5機能を搭載することで、業界標準の電気インタフェースを実装し、フレーアや順方向エラー訂正(FEC)プロセッサとの接続性・互換性を高めた。以上の機能を、16:1マルチプレクサ、1:16デマルチプレクサ、SFI-5インタフェースの3種のLSIと、40GHzの外付けVCOにより実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-14
著者
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山下 寛樹
(株)日立製作所中央研究所
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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高橋 毅
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
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千葉 博之
(株)日立超LSIシステムズ
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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會田 辰洋
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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伊藤 雅広
(株)日立製作所中央研究所
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會田 辰洋
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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高橋 毅
(株)日立超lsiシステムズ
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山下 寛樹
日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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