高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
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概要
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- 2003-03-06
著者
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
小山 明夫
日立デバイス開発センタ
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
日立
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
鷲尾 勝由
日立中央研究所
-
橋本 尚
日立・システム研
-
渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
和田 真一郎
日立
-
野中 裕介
日立
-
斎藤 朋広
日立
-
冨成 達也
日立
-
小結 薫
日立
-
笹原 響子
日立
-
渡邊 圭紀
日立
-
大植 栄司
日立
-
清田 幸弘
日立
-
細江 英之
日立
-
藤原 裕章
日立超L
-
村田 文夫
日立超L
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
清田 幸弘
日立製作所中央研究所
-
細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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