高精度多結晶シリコン抵抗設計式の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
芝 健夫
(株)日立製作所中央研究所
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
関連論文
- レーザアニールによるSi 薄膜溶融, 結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- システム・イン・ディスプレイに向けた擬似単結晶シリコンTFT技術 (特集 電子ディスプレイ「新技術」をいち早く掴む--有機ELディスプレイ,製造プロセス・材料の最新成果)
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- Gate-Overlapped LDD構造による低温Poly-Si TFTの高信頼化技術
- ポリシリコンTFTのパルス電圧ストレスによる劣化機構
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- 5インチLCD駆動用塗布型高移動度TFTアレイの開発
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
- 高精度多結晶シリコン抵抗設計式の検討
- 高濃度ボロンドープ・Siエピタキシャル成長技術を用いたソース/ドレイン積み上げ構造MOSFETの試作
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
- リンドープポリSiエミッタを用いた超高速Siバイポーラトランジスタ
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
- TCADを用いた統計的手法による0.12μmCMOSデバイスの統計
- TCADを用いた統計的手法による0.12μmCMOSデバイスの設計
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- DCCPW線路を用いた光・マイクロ波受信モジュール
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化