高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
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概要
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A high-performance SiGe HBT/BiCMOS technology is reviewed. A nano-meter scaling of epitaxial SiGe base layer is an effective to improve cutoff frequency. Non-self-aligned structure and self-aligned structure in SiGe HBTs are compared in terms of their process flows and characteristics. An ECL gate delay of 4.9 psec is achieved by the high-yield self-aligned SiGe HBTs with a maximum oscillation frequency of 183 GHz. Without performance degradation the SiGe HBT and advanced CMOS technology are integrated with high-performance passive elements for mixed signal system-on-a-chips.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-02-01
著者
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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