SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
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概要
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メインフレームコンピュータ用 LSI の高速化・高集積化のため 0.3μm ECL-CMOSプロセス技術を開発した。遮断周波数(fT) 30GHz の超高速バイポーラトランジスタと、トレンチアイソレーションを有するセル面積 30μm^2 のフルCMOS型メモリセルをSOI基板上に形成する技術である。この技術を用いて、遅延時間40ps, 120Kゲートの論理LSIと、50Kゲート論理付きのアドレスアクセス1ns, 2.3MbitのメモリLSIを開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
丹場 展雄
日立製作所 デバイス開発センタ
-
玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
山口 日出
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
山口 日出
日立製作所デバイス開発センタ
-
丹波 展雄
日立製作所デバイス開発センタ
-
丹場 展雄
筑波大・物理
-
菊池 俊之
日立製作所 デバイス開発センタ
-
大西 良史
日立製作所 デバイス開発センタ
-
橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
-
吉田 栄一
日立製作所 デバイス開発センタ
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
渡辺 邦彦
日立製作所 デバイス開発センタ
-
玉置 洋一
日立製作所 デバイス開発センタ
-
池田 隆英
日立製作所 デバイス開発センタ
-
菊池 俊之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
渡辺 邦彦
日立製作所デバイス開発センタ
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