電気めっき法による銅配線形成の溝埋め込みプロセスシミュレーション
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概要
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基板上の溝や穴の内部へ電気めっき法による銅膜埋め込みプロセスを数値シミュレーションした。添加剤の抑止作用について5種類のモデル(No.1:添加剤の作用がない場合, No.2:添加剤の付着割合に比例した抑止作用が働く場合, No.3:付着速度に対して指数関数的に抑止作用が働く場合, No.4:添加剤の付着速度に比例した濃度差が生じる場合, No.5:膜内部の成長速度に応じて膜表面の成膜速度が影響される場合)を仮定し, 電位分布と添加剤濃度分布を解き, めっき成膜形状変化を計算した。No.5のモデルは実験結果に最も近く, そのモデルを用いて埋め込み特性に及ぼす溝幅, 深さ, ピッチなどの影響を検討した。その結果, (溝深さ/溝幅)が1以上の時に溝の埋め込み速度が大きくなり, (溝ピッチ/溝幅)が大きいほど埋め込み速度が大きくなり, 穴は2次元溝より埋め込み速度が大きいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
山口 日出
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
斎藤 達之
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
平沢 茂樹
(株)日立製作所 機械研究所 茨城県
-
齋藤 達之
(株)日立製作所
-
齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
斎藤 達之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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