低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
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概要
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砥粒を含まない薬液を用い***ージョンとディッシングを大幅に改善できる新しい銅研摩法を開発した。この方法は出来上がった配線の抵抗を高精度に制御でき、高い絶縁信頼性も維持できる。またフッ素を含まず、機械的強度の高い低誘電率膜プロセスも開発した。この膜は機械的強度が高いためCMPプロセスと組み合わせることが容易であり単純で高信頼度の構造が作りやすい。これら二つの技術を使い、低寄生容量でバラツキを小さく制御した0.5ミクロンピッチの配線を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-21
著者
-
後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
-
日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
-
日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
-
武田 健一
日立製作所 中央研究所
-
古澤 健志
ルネサステクノロジー
-
山口 日出
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
近藤 誠一
日立製作所中央研究所
-
古澤 健志
日立製作所中央研究所
-
佐久間 憲之
日立製作所中央研究所
-
龍崎 大介
日立製作所中央研究所
-
町田 俊太郎
日立製作所中央研究所
-
後藤 康
日立製作所中央研究所
-
山口 日出
日立製作所デバイス開発センタ
-
本間 喜夫
日立製作所中央研究所
-
日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
-
後藤 康
日立製作所
-
武田 健一
日立製作所中央研究所
-
町田 俊太郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
本間 喜夫
(株)日立製作所 中央研究所
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Takeda Ken'ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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