低抵抗・低ε材料による平たん化多層配線の課題
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概要
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ディープサブミクロン多層配線の高性能化のための課題として,拡散層とコンタクト抵抗上昇抑制,配線の低抵抗化,および層間絶縁膜の低誘電率とそのグローバル平たん化について議論する.コンタクト孔を微細化すると,コンタクト孔底部をシリサイド化しただけでは抵抗低減は不十分となる.拡散層へのメタル張り付けとプラグ形成による金属同士の接続が望ましい.配線遅延の低減のためには低抵抗配線材料と低誘電率層間絶縁膜材料の導入が必要である.配線低抵抗化のためにはCu配線の採用が望ましく,高温ドライエッチによるCu微細加工と素子汚染防止技術等を開発した.低誘電率の層間絶縁膜技術とその平たん化のアプローチとして,埋込み特性に優れ,比誘電率も3以下と低い有機塗布ガラス材料を開発し,これに発泡ふっ素樹脂研磨パッドを用いたCMPによる平たん化を適用して2層Al配線を試作した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
古澤 健志
ルネサステクノロジー
-
小林 伸好
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
古澤 健志
(株)日立製作所中央研究所
-
小林 伸好
日立製作所. デバイス開発センタ
-
本間 喜夫
(株)日立製作所中央研究所
-
楠川 喜久雄
(株)日立製作所中央研究所
-
宮崎 博史
(株)日立製作所中央研究所
-
宮崎 博史
(株)日立製作所 半導体グループ
-
本間 喜夫
(株)日立製作所 中央研究所
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