フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• P-TEOSよりも吸湿性が少なく、高い耐水性を有する低誘電率のSiOF膜が得られた。膜形成には、水素を生成する系を用いた。一つは安定なプリカーサであるSiF_2と水素を生成する、SiF_2H_2を用いた方法である。このプロセスでは誘電率が3.3の安定なSiOF膜が得られる。もう一つは従来のSiF_4にSiH_4を混合させた方法である。この方法では、誘電率は3.6であるが低コストで安定なSiOF膜が得られる。両プロセスをデバイスに適用して、デバイス特性の劣下がないことを確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-23

著者

• 福田 琢也

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 小林 伸好

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 佐々木 英二

  日立超lsiエンジニアリング

• 細川 隆

  日立製作所.半導体事業部.半導体技術開発センタ

関連論文

• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
• Low-k材用の誘電率の理論的導出 : k
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 低抵抗・低ε材料による平たん化多層配線の課題
• 分子シミュレーションに基づくW-CVDプロセス解析
• 低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成

スポンサーリンク