Low-k材用の誘電率の理論的導出 : k<1.5の配線プロセスを目指して

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概要

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本研究は5年間の日本での国家プロジェクト(k<1.5の配線プロセス開発)の一貫としてなされている。Low-k材料の開発はもとより、その候補材を合成する前に、候補材の誘電率を予めに知ることは重要である。これまで、未合成材の誘電率を精度高く予測できる方法はなかった。そこで、誘電率の理論的な解析を進めて、未合成でもその誘電率が予測できる理論式を導出した。この式を用いると、候補材のユニットを構成する結合原子種が決まると、文献値からその誘電率を求めることができる。この理論式から、極低誘電率の材料を得るためには、双極子形成や、強いIR強度の原因となる酸素を、材料の構成原子として取り込まないことが重要であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-01-23

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