ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
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概要
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低誘電層間材料である有機SOG(HSG2209S-R7: 日立化成工業(株)、k=2.9)を層間絶縁膜に適用したCuデュアルダマシン配線を作成し、その電気特性を評価した。またエッチングストッパ層にTEOSを用いて更なる低誘電化を図った。その構造の配線容量は従来のTEOS層間のCuダマシン配線と比較して、約30%低減することができた。配線抵抗およびビア抵抗も良好な値を示し、この配線技術が0.18μ mCMOSに充分適用可能であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
-
日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
古澤 健志
ルネサステクノロジー
-
日野出 憲治
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究部
-
大島 隆文
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
青木 英雄
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
丸山 裕之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
前川 厚志
日立超LSIシステムズ(株)
-
宇野 正一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
福田 琢也
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
小林 伸好
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
古澤 健志
(株)日立製作所中央研究所
-
日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
-
小林 伸好
日立製作所. デバイス開発センタ
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
福田 琢也
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
丸山 裕之
株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部
-
宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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