In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作

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概要

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• In-situ電気化学プロセスによる新しいPt/InPショットキー障壁形成技術を開発した。この電気化学プロセスにより、遷移層のない良好なPt/InP界面を実現し、0.86evという高い障壁高さと、理想因子1.13を得た。新しいショットキー障壁形成技術をMESFETに応用し、Pt ゲートInP MESFETを作製した。その結果、ゲート電圧による良好なドレイン電流の制御とピンチオフ特性を得ることができ、チャネル実効移動度は184Ocm^2/vsであった。また、デバイスは正ゲート電圧条件下でも良好なFET動作を示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-10-19

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 呉 南健

  北海道大学工学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 呉 南健

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 宇野 正一

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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