葛西 誠也 | Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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概要
- 葛西 誠也の詳細を見る
- 同名の論文著者
- Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Teの論文著者
関連著者
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
-
KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
-
湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
-
田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
村松 徹
北大院情報科学および量集センター
-
村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学部電気工学科
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Hozawa H
Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
OKADA HIROSHI
Botanical Gardens, Faculty of Science, Osaka City University
-
OKADA Hiroshi
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
KASAI Seiya
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
-
Hasegawa Haruhiro
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
-
Kasai Seiya
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
Okada H
Botanical Gardens Faculty Of Science Osaka City University
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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HASHIZUME Tamotsu
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
SATO Taketomo
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
趙 洪泉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中田 大輔
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
-
アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
-
中田 大輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
アブドゥール ラーマン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター:北海道大学大学院情報科学研究科
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Satoh Y
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Kasai Seiya
Graduate School Of Information Science And Technology Hokkaido University:research Center For Integr
-
Yumoto M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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古川 拓也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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柴田 啓
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
木村 健
北海道大学工学研究科
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Kotani Junji
Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld
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Satoh Yoshihiro
Division of Pathology, Isehara Kyodo Hospital
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Kotani Junji
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
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TAKAHASHI Hiroshi
Research Center for Integrated Quantum Electronics, and Graduate School of Electronics and Informati
-
HASEGAWA Hideki
Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Integrated Quantu
-
古川 拓也
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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岩谷 将伸
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科 電子情報工学科専攻
-
Satoh Yoshihiro
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Satoh Yoshihiro
Mitsubishi Electric Corporation
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JINUSHI Kei-ichiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Jinushi Kei-ichiroh
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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Satoh Y
Division Of Pathology Isehara Kyodo Hospital
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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KASAI Seiya
Hokkaido University
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HASHIZUME Tamotsu
Hokkaido University
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赤澤 正道
北海道大学
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浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
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前橋 兼三
阪大産研
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山田 崇史
北海道大学工学部電子工学科
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村中 司
北海道大学工学研究科
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福士 哲夫
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
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阿部 裕二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Wu N‐j
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
ZHAO Hong-Quan
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
-
木下 純臣
北海道大学工学部
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Wu N‐j
Univ. Aizu Fukushima Jpn
-
Xie Y
Research Center For Interface Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Electronics And Inf
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
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松本 和彦
大阪大 産科研
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大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
-
松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
-
袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
-
Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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遠藤 眞
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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Wu Nan-jian
The University Of Electro-communications
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金 智
電気通信大学
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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Endo Makoto
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
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TOMOZAWA Hidemasa
Eniwa Research and Development Center, Kyoto Semiconductor Corporation
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SHIRATORI Yuta
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
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Tomozawa Hidemasa
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Tomozawa Hidemasa
Eniwa Research And Development Center Kyoto Semiconductor Corporation
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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福士 哲夫
北海道大学工学研究科
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ENDO Masahiro
NTT Cyber Space Laboratories, NTT Corporation
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Okada H
Faculty Of Engineering University Of Toyama
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宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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Shiratori Yuta
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
JIN Zhi
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
Jin Z
Ecole Polytechnique De Montreal Quebec Can
-
金 智
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび
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YUMOTO Miki
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Informatio
-
宇野 正一
北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
NAKAMURA Tatsuya
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
-
TAMURA Takahiro
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
-
Jin Zhi
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
Endo M
Ntt Cyber Space Laboratories Ntt Corporation
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Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
-
Tamura Takahiro
Graduate School Of Information Science And Technology Hokkaido University:research Center For Integr
-
Yamada Takashi
Department of Molecular Biotechnology, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Uni
-
ZHAO Hong-Quan
Hokkaido University
-
WU Nan-Jian
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
-
呉 南健
北海道大学工学研究科
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
高橋 浩
北海道大学 エネルギー先端工学研究センター
-
江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
AMEMIYA Yoshihito
Department of Electrical Engineering, Hokkaido University
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
TAMURA Takahiro
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
-
KOTANI Junji
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
-
葛西 誠也
北大院情報科学
-
謝 永桂
北海道大学集積界面エレクトロニクス研究センター
-
Nakamura Jin
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
呉 南健
北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター
-
Wu Nan-jian
Institute Of Semiconductor Chinese Academy Of Science
-
Yamada M
Mitsubishi Electric Corp. Itami‐shi Jpn
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
高橋 賢
広島市大
-
KINOSHITA Yoshitaka
Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology
-
FUJIKURA Hajime
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
YAMADA Masatsugu
Research Center for Integrated Quantum Electronics, and Graduate School of Electronics and Informati
-
XIE Yong
Research Center for Integrated Quantum Electronics, and Graduate School of Electronics and Informati
-
XIE Yong-Gui
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
JIANG Chao
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
高橋 賢
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
TAKEUCHI Mariko
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc
-
Takeuchi Mariko
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Yamada Takashi
Department Of Chemistry Faculty Of Science And Engineering Konan University
-
IWAYA Masanobu
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Iwaya Masanobu
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
UNO Shouichi
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center for Interface Quantu
-
HASHIZUME Tamotsu
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center for Interface Quantu
-
WU Nan-Jian
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center for Interface Quantu
-
Takahasi Hiroshi
The Authors Are With Application Specific Products Worldwide Development Dsp Development Japan Tsuku
-
Amemiya Yoshihito
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University
-
Hashizume Tamotsu
Hokkaido Polytechnic College
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江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
藤倉 序章
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻
-
Tamai Isao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Jiang C
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Jiang Chao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
Uno Shouichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
FU Zhengwen
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Informatio
-
Jia Rui
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Fu Zhengwen
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
Amemiya Y
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Kasai Seiya
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University
-
TAMAURA Takahiro
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
-
板井 順一
北見工業大学電気電子工学科
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University
-
Takahashi H
Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
Yamada M
Kanazawa Univ. Kanazawa‐shi Jpn
-
葛西 誠也
JSTさきがけ
-
高橋 浩
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
Kinoshita Yoshitaka
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Tamura Takahiro
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Tamaura Takahiro
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Yamada Takashi
Department Of Animal Science Graduate School Of Agricultural Science Kobe University
著作論文
- Multiple Path Switching Device Utilizing Size-Controlled Nano-Schottky Wrap Gates for MDD-Based Logic Circuits
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討 (電子デバイス)
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- Study on Nonlinear Electrical Characteristics of GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates
- Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures
- Multipath-switching device utilizing a GaAs-based multiterminal nanowire junction with size-controlled dual Schottky wrap gates
- Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Process Charactarization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000)
- Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer
- InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
- Large Modulation of Conductance in Interdigital-Gated HEMT Devices Due to Surface Plasma Wave Interactions
- Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
- Chemical and Electrochemical Nanofabrication Processes for Schottky In-Plane Gate GaAs Single and Coupled Quantum Wire Transistors
- Fabrication and Characterization of Active and Sequential Circuits Utilizing Schottky-Wrap-Gate-Controlled GaAs Hexagonal Nanowire Network Structures
- 0.86 eV Platinum Schottky Barrier on Indium Phosphide by In Situ Electrochemical Process and Its Application to MESFETs
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts on n-GaAs and n-InP Formed by in Situ Electrochemical Process
- Computer Simulation and Experimental Characterization of Single Electron Transistors Based on Schottky Wrap Gate Control of 2DEG
- Fabrication and Characterization of GaAs Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots Based on Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Control of Two-Dimensional Electron Gas
- Realization of GaAs-Based Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots by Schottky In-Plane-Gate Control of Two Dimensional Electron Gas
- Hexagonal Binary Decision Diagram Quantum Circuit Approach for Ultra-Low Power III-V Quantum LSIs
- Optimization and Interface Characterization of a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer
- Basic Control Characteristics of Novel Schottky In-Plane and Wrap Gate Structures Studied by Simulation and Transport Measurements in GaAs and InGaAs Quantum Wires ( Quantum Dot Structures)
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- SC-9-9 ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用いた化合物半導体量子デバイスとその機能集積回路応用
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal BDD Quantum Circuits
- Investigation of Side-gating Effects in GaAs-based Quantum Wire Transistor (QWRTr) utilizing Nanosized Schottky Gates
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors
- Conductance Oscillation Characteristics of GaAs Schottky Wrap-Gate Single Electron Transistors
- Formation of Quantum Dots by Schottky Wrap Gate Control of 2DEG and Its Application to Single Electron Transistors
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Teraheltz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- Effects of surface states on control characteristics of nano-meter scale Schottky gates formed on GaAs
- Graph-Based Quantum Logic Circuits and Their Realization by Novel GaAs Multiple Quantum Wire Branch Switches Utilizing Schottky Wrap Gates
- Reactive Ion Beam Etching of GaN and AlGaN/GaN for Nanostructure Fabrication Using Methane-Based Gas Mixtures
- Novel Quantum Wire Branch-Switches for Binary Decision Diagram Logic Architecture Utilizing Schottky Wrap-Gate Control of GaAs/AlGaAs Nanowires
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- Reactive Ion Beam Etching of GaN and AlGaN for Nano-structure Fabrication Using Methane-Based Gas Mixtures
- A Novel GaAs Binary Decision Diagram Device Having Quantum Wire Branch-Switches Controlled by Wrap Gates
- Quantum-Dot Logic Circuits Based on the Shared Binary-Decision Diagram
- GaAs-Based Single Electron Transistors and Logic Inverters Utilizing Schottky Wrap-Gate Controlled Quantum Wires and Dots
- Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts for Gate Control of III-V Single Electron Devices and Quantum Devices
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- Current transport and capacitance-voltage characteristics of GaAs and InP nanometer-sized Schottky contacts formed by in situ electrochemical process
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- 化合物半導体量子デバイスの展望と課題
- ED2000-51 / SDM2000-51 化合物半導体量子デバイスの展望と課題
- Electron Beam Induced Current Characterization of Novel GaAs Quantum Nanostructures Based on Potential Modulation of Two-Dimensional Electron Gas by Schottky In-Plane Gates
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
- CT-2-3 雑音共存確率共鳴トランジスタ(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
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- Characterization of Conductance Switching in Schottky-Wrap-Gate-Controlled Quantum Wire Transistors in A-Few-Electron Regime(Session 7B Compound Semiconductor Devices III,AWAD2006)
- Characterization of Conductance Switching in Schottky-Wrap-Gate-Controlled Quantum Wire Transistors in A-Few-Electron Regime(Session 7B Compound Semiconductor Devices III)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)