ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として,GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子(Charge CoupledDevice: CCD)の試作とその電荷転送動作について述べる.2つのラップゲートを設け,ゲート電圧をクロック制御することでドットを介した電荷パケットの転送を行う.試作デバイスにおいてクロック周波数に応じたDC電流が観測された.得られた電流は温度に依存しないことから,ゲートクロックによる同期電荷転送が実現されていることが確認された.
- 2011-02-16
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
-
三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
-
葛西 誠也
JSTさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学
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