Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts on n-GaAs and n-InP Formed by in Situ Electrochemical Process
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概要
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The current transport characteristics of nanometer-sized Schottky contacts were investigated from theoretical and experimental viewpoints. A theoretical calculation of the three dimensional (3D) potential distributions showed that the potential shape underneath the nano-Schottky contacts was considerably modified by the surface Fermi level pinning on the air exposed free surfaces, producing a saddle point in the potential. The curl ent-voltage (I-V) curves were strongly influenced by this saddle point potential and resulted in nonlinear log I-V characteristics. Experimentally, the Pt nano-particles were selectively formed using the in situ electrochemical process on n-type GaAs and n-type InP substrates patterned using electron-beam (EB) lithography. Their I-V measurements were carried out using an atomic force microscopy (AFM) system equipped with a conductive probe. The log I-V curves of the nano-Schottky contacts showed nonlinear characteristics with large n values of 1.96 for n-GaAs and 1.27 for n-InP and could be very well explained by the theoretical I-V curves considering the "environmental" Fermi level pinning.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-07-30
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
OKADA HIROSHI
Botanical Gardens, Faculty of Science, Osaka City University
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
HASEGAWA Hideki
Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Integrated Quantu
-
OKADA Hiroshi
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
-
KASAI Seiya
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
-
Okada H
Faculty Of Engineering University Of Toyama
-
Kasai Seiya
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
-
Okada H
Botanical Gardens Faculty Of Science Osaka City University
-
Hasegawa Hideki
Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for
-
Kasai Seiya
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center
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