Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Copyright © 2007 American Institute of PhysicsA three-terminal nanowire junction device controlled by double nanometer-sized Schottky wrap gates (WPGs), which control left and right branches independently, are fabricated utilizing AlGaAs/GaAs etched nanowires and characterized experimentally. Fabricated device exhibits clear nonlinear characteristics of output voltage at the center terminal by applying voltages to left and right terminals in push-pull fashion. Applying asymmetric gate voltages to left and right WPGs provides clear asymmetry in the output voltage. The nonlinearity in the low voltage regions is greatly enhanced by squeezing both left and right branches using WPGs.

• American Institute of Physicsの論文

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

関連論文

• Multiple Path Switching Device Utilizing Size-Controlled Nano-Schottky Wrap Gates for MDD-Based Logic Circuits
• GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討 (電子デバイス)
• ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
• GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
• Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
• A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
• 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
• 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
• Study on Nonlinear Electrical Characteristics of GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates
• Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures
• Multipath-switching device utilizing a GaAs-based multiterminal nanowire junction with size-controlled dual Schottky wrap gates
• Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
• 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
• 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
• 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 量子細線ネットワークと論理回路応用
• MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
• 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
• GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
• C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Process Charactarization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000)
• Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer
• InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
• Large Modulation of Conductance in Interdigital-Gated HEMT Devices Due to Surface Plasma Wave Interactions
• Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
• Chemical and Electrochemical Nanofabrication Processes for Schottky In-Plane Gate GaAs Single and Coupled Quantum Wire Transistors
• Fabrication and Characterization of Active and Sequential Circuits Utilizing Schottky-Wrap-Gate-Controlled GaAs Hexagonal Nanowire Network Structures
• 0.86 eV Platinum Schottky Barrier on Indium Phosphide by In Situ Electrochemical Process and Its Application to MESFETs
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts on n-GaAs and n-InP Formed by in Situ Electrochemical Process
• Computer Simulation and Experimental Characterization of Single Electron Transistors Based on Schottky Wrap Gate Control of 2DEG
• Fabrication and Characterization of GaAs Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots Based on Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Control of Two-Dimensional Electron Gas
• Realization of GaAs-Based Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots by Schottky In-Plane-Gate Control of Two Dimensional Electron Gas
• Hexagonal Binary Decision Diagram Quantum Circuit Approach for Ultra-Low Power III-V Quantum LSIs
• Optimization and Interface Characterization of a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer
• Basic Control Characteristics of Novel Schottky In-Plane and Wrap Gate Structures Studied by Simulation and Transport Measurements in GaAs and InGaAs Quantum Wires ( Quantum Dot Structures)
• ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
• ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
• SC-9-9 ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用いた化合物半導体量子デバイスとその機能集積回路応用
• ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
• Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal BDD Quantum Circuits
• Investigation of Side-gating Effects in GaAs-based Quantum Wire Transistor (QWRTr) utilizing Nanosized Schottky Gates
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
• ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
• ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
• ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
• Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors
• Conductance Oscillation Characteristics of GaAs Schottky Wrap-Gate Single Electron Transistors
• Formation of Quantum Dots by Schottky Wrap Gate Control of 2DEG and Its Application to Single Electron Transistors
• QMESFETの提案と試作
• QMESFETの提案と試作
• C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Teraheltz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots
• 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
• 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
• Effects of surface states on control characteristics of nano-meter scale Schottky gates formed on GaAs
• Graph-Based Quantum Logic Circuits and Their Realization by Novel GaAs Multiple Quantum Wire Branch Switches Utilizing Schottky Wrap Gates
• Reactive Ion Beam Etching of GaN and AlGaN/GaN for Nanostructure Fabrication Using Methane-Based Gas Mixtures
• Novel Quantum Wire Branch-Switches for Binary Decision Diagram Logic Architecture Utilizing Schottky Wrap-Gate Control of GaAs/AlGaAs Nanowires
• GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
• GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
• Reactive Ion Beam Etching of GaN and AlGaN for Nano-structure Fabrication Using Methane-Based Gas Mixtures

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク