Realization of GaAs-Based Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots by Schottky In-Plane-Gate Control of Two Dimensional Electron Gas
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概要
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- 1996-08-26
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
OKADA HIROSHI
Botanical Gardens, Faculty of Science, Osaka City University
-
TOMOZAWA Hidemasa
Eniwa Research and Development Center, Kyoto Semiconductor Corporation
-
OKADA Hiroshi
Research Center for Interface Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Electronics and Inf
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Tomozawa Hidemasa
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
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Tomozawa Hidemasa
Eniwa Research And Development Center Kyoto Semiconductor Corporation
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JINUSHI Kei-ichiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Jinushi Kei-ichiroh
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
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Okada H
Botanical Gardens Faculty Of Science Osaka City University
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
-
Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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Jinushi Kei-ichiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of
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