Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
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概要
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THE SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NEW PHENOMENA IN MESOSCOPIC STRUCTURES & THE FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACES AND INTERFACES OF MESOSCOPIC DEVICES (27 November--2 December 2005, Maui, Hawaii, USA)A new single electron (SE) binary-decision diagram (BDD) node device having a single quantum dot connected to three nanowire branches through tunnel barriers was fabricated using etched AlGaAs/GaAs nanowires and nanometer-sized Schottky wrap gates(WPGs), and their operation was characterized experimentally, for the hexagonal BDD quantum circuit. Fabricated devices showed clear and steep single electron pass switching by applying only an input voltage signal, which was completely different from switching properties in the previous SE BDD node devices composed of two single electron switches. As the possible switching mechanism, the correlation between the probabilities of tunnelling thorough a single quantum dot in exit branches was discussed.
- Institute of Physicsの論文
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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