ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
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概要
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AlGaAs/GaAsヘキサゴナルナノ細線ネットワーク構造をショットキーラップゲート(WPG)で制御して実装する新しいヘキサゴナル二分決定グラフ(BDD)量子回路方式による集積回路技術について述べる.量子BDD節点デバイスをWPG制御量子細線(QWR)および単電子(SE)スイッチを用いて実現した.これを集積化してANDなどの基本論理回路を試作し,低温での量子輸送モードおよび室温における多数電子動作モード両方において正しい論理動作を確認した.電力・遅延時間積は,QWR形で10^<-18> J,SE形で10^<-22> Jと見積もられた.また,ナノ細線の交差なく任意ビットのBDD加算器を設計するとともに,AlGaAs/GaAsエッチングヘキサゴナルナノ細線ネットワーク構造を用いて全加算器を試作し,集積密度2.5x10^7cm^<-2>を達成した.
- 2002-06-26
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
福士 哲夫
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
-
福士 哲夫
北海道大学工学研究科
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
-
葛西 誠也
北海道大学
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