Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
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概要
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- 2004-09-15
著者
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
TAKEUCHI Mariko
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc
-
Takeuchi Mariko
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hashim Abdul
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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