Hashizume T | Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technologyの論文著者

関連著者

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Hideki

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hasegawa H

  自治医科大学 臨床検査医学

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• Hasegawa Hideki

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac

• Honda Hideyuki

  The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 田島 正文

  北海道大学

• 葛西 誠也

  北海道大学

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 田村 隆弘

  北海道大学大学院工学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学工学研究科

• 木村 健

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北大量集センター情報科学研究科

• Hasegawa Hideki

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川 恵理

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川 恵理

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst

• 金子 昌充

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 長谷川 英機

  北海道大学工学部電気工学科

• Hozawa H

  Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• ミツェーク マルチン

  Institute of Phisics, Silesian University of Technology

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University

• 加藤 寛樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Haruhiro

  Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center

• ミツェーク マルチン

  Institute Of Phisics Silesian University Of Technology

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 中村 達也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 菅原 克也

  北海道大学

• Kotani Junji

  Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld

• Sato T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 中村 達也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• Kotani Junji

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University

• ミツェーク マルチン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• Sato Taketomo

  Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu

• Sato Taketomo

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• HASEGAWA Hideki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 古川 拓也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• バシーレ アルベルト

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 古川 拓也

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• Sato Taketomo

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Hideki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• KASAI Seiya

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• SATO Taketomo

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• 松尾 一心

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松山 哲也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• バジール アルベルト

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Kasai Seiya

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• HASHIZUME Tamotsu

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• Ootomo Shinya

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio

• Ootomo Shin-ya

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Electronics And In

• 阿部 裕二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 趙 洪泉

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Kokawa Takuya

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 藤野 敏幸

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• サグァン アナンタタナサン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• TAMURA Takahiro

  Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te

• KOTANI Junji

  Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te

• 吉澤 直樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 岡崎 拓行

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashim Abdul

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• TAKEUCHI Mariko

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc

• KOKAWA Takuya

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc

• OKAZAKI Hiroyuki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

• Takeuchi Mariko

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• OIKAWA Takeshi

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Scienc

• 橋詰 保

  量子集積エレクトロニクス研究センター

• Tamura Takahiro

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• Hashim Abdul

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 白鳥 悠太

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 中村 達也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

もっと見る 閉じる

著作論文

• GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• Selective molecular beam epitaxy growth of size- and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism
• Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure
• Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
• Large reduction of leakage currents in AlGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
• Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
• AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric
• Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al_2O_3 Insulated Gate(Heterostructure Microelectronics with TWHM2003)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• Large Conductance Modulation in Interdigital Gate HEMT Device due to Surface Plasma Wave Interactions and Its Device Application
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Performance of open-gate AlGaN/GaN HFET in various kinds of liquids
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted Selective MBE on Pre-Patterned Substrates
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Computer simulation of current transport in GaN and AlGaN Schottky diodes based on thin surface barrier model
• Analysis and control of excess leakage currents in nitride-based Schottky diodes based on thin surface barrier model
• Leakage mechanism in GaN and AlGaN Schottky interfaces
• GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
• AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づいたGaN系ショットキー接合のリーク機構の考察(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御
• 窒化物半導体電子デバイスにおける表面制御

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク