サグァン アナンタタナサン | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学
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サグァン アナンタタナサン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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アナンタタナサン サグァン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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根来 昇
北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター
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アナンタタナサン サグァン
北海道大学工学研究科
著作論文
- (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- (4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化
- (4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化
- 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)