(4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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GaAs(001)-(4×6)Ga安定化面を初期表面として、Si及びGaN界面制御層(ICL)によるGaAs(001)表面不活性化手法の最適化を行った。GaN ICLは、GaAs表面の窒化処理とSiN_x膜の堆積により形成した。一方、Si ICLは、MBE法によるSi薄膜の成長と表面の部分窒化により形成した。in-situ UHV STS測定の結果、Si及びGaN界面制御層どちらを用いても、表面準位密度が大幅に低減することがわかった。また、UHV PL発光強度も従来良く用いられるAs安定化面に適用した場合と比較して10倍と著しく増加した。Al/SiO_2/SiN_x/c-GaN ICL/(4×6)GaAs及びAl/SiO_2/SiN_x/Si ICL/(4×6)GaAsのMIS構造を作製し、大気中でC-V測定を行ったところ、フェルミ準位ピンニングが緩和し、Nssの最小値が、それぞれ1×10^<11>および4×10^<10>cm^<-2>eV^<-1>まで減少した。真空中で得られた良好な界面特性は、大気に曝したMIS構造でも保持されていることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-06
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
根来 昇
北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター
-
アナンタタナサン サグァン
北海道大学工学研究科
-
サグァン アナンタタナサン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
アナンタタナサン サグァン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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