GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
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概要
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Si界面制御層によるGaAs表面不活性化において適切なGaAs初期表面の検討を行うために、GaAs(001)面のGa安定化面である(4x6)再構成表面を初期表面とし、Si形成前後の表面についてその効果をUHV-STM/STS、UHV-PL、UHV非接触C-V法により評価した。(4x6)表面は、他のAs安定化面と比較して、PL発光強度は増加し、非接触C-V法により求めた表面準位密度分布は、非常に低い値を示した。Si形成後さらにその特性は改善された。また、STM像は、マクロな構造を示すRHEEDパターンと良く一致した。STS測定より、初期表面では異常なSTSスペクトルが観測されたが、Si形成後は、通常のスペクトルが観測された。これらの結果は、(4x6)表面がSi界面制御層を適用する表面として最もふさわしいことを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
根来 昇
北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中野 雄太
北海道大学 工学研究科 電子情報工学専攻
-
中野 雄太
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子集積エレクトロニクス研究センター
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