ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
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概要
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n-InP上の電極材料としてCu単体を用いた場合のCu/InPコンタクト界面に生起する拡散・反応の挙動と電気的特性との関連について詳細に検討した。AES分析及びXPS分析の結果から、熱処理前の状態において既に、Cu/InP界面ではCuの拡散が支配的であることに起因して部分的に不均一反応による異なる反応生成物が得られることが示された。そのような界面での不均一反応は、コンタクトの電気的特性にも影響を及ぼし、そのI-V特性から異なる二つの障壁高さの存在が確認された。これらのことから、電極とInPとのコンタクト界面で均一な反応層を得ることが良好な電気的特性を得るためには重要なプロセスであることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
板井 順一
北見工業大学電気電子工学科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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