野矢 厚 | 北見工業大学

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概要

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関連著者

• 野矢 厚

  北見工業大学

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 武山 真弓

  北見工業大学

• 武山 真弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学電気電子工学科

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部

• 佐々木 克孝

  北見工業大学

• 佐藤 勝

  北見工業大学

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部

• 佐藤 勝

  北見工業大学電気電子工学科

• 武山 眞弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 佐々木 克孝

  北見工業大学工学部機能材料工学科

• 青柳 英二

  東北大学金属材料研究所

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 柳沢 英人

  北見工業大学

• 阿部 良夫

  Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology

• 村上 佳隆

  北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社

• 山根 美佐雄

  北見工業大学工学部機能材料工学科

• Abe Yuji

  Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• Abe Y

  Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn

• 坂西 光一郎

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 阿部 良夫

  北見工業大学マテリアル工学科

• 坂西 光一郎

  北見工業大学電気電子工学科:(現)日立製作所

• 糸井 貴臣

  北見工業大学電気電子工学科:(現)千葉大学

• 土橋 剛

  旭川高専

• 柳沢 英人

  北見工業大学工学部能材料工学科

• 坂上 正和

  北見工業大学電気電子工学科

• 土橋 剛

  旭川工業高等専門学校

• 柄沢 元

  北見工業大学工学部

• 梅沢 利二

  札幌学院大学

• 小林 靖志

  (株)富士通研究所

• 中村 友二

  富士通研究所

• 中西 太一

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 早坂 祐一郎

  東北大学金属材料研究所

• 佐藤 和美

  北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)日立国際電気

• 土橋 剛

  旭川工業高等専門学校電気工学科

• 小林 靖志

  富士通研究所

• 中田 義弘

  富士通研究所

• 篭味 慎也

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 板井 順一

  北見工業大学電気電子工学科

• 徳田 奨

  北見工業大学

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 中村 友二

  (株)富士通研究所

• 町田 英明

  気相成長(株)

• 関 光

  北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通

• 川村 みどり

  北見工業大学工学部機能材料工学科

• 水野 源大

  北見工業大学電気電子工学科

• 野村 公一

  北見工業大学工学部電子工学科

• 砂田 栄志

  北見工業大学工学部

• 福田 朝之

  北見工業大学電気電子工学科

• 氏家 健二

  北見工業大学工学部電子工学科

• 中田 義弘

  (株)富士通研究所

• 徳田 奨

  北見工業大学工学部技術部

• 川村 みどり

  北見工業大学マテリアル工学科

• 佐々木 貴啓

  富士通株式会社

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 吉本 健一

  旭川工業高等専門学校

• 伊藤 俊

  東北大学金属材料研究所

• 御厨 貴信

  北見工業大学 工学部 電気電子工学科

• 柴田 誠一

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 宮田 勝美

  北見工大

• 大立目 晋

  北見工業大学電気電子工学科

• 山口 十六夫

  静岡大学

• 山口 十六夫

  静岡大学電子工学研究所

• MANIRUZZAMAN Md.

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 須藤 弘

  気相成長(株)

• 阿部 良夫

  北見工業大学工学部能材料工学科

• 梁田 修

  北見工業大学電気電子工学科

• 村上 学

  北見工業大学電気電子工学科

• 佐々木 貴啓

  北見工業大学工学部電子工学科

• 佐々木 貴啓

  鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター(tedrec):シャープ株式会社モバイル液晶事業本部

• 池田 望

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 白重 道弘

  松尾電機株式会社

• 宮田 勝美

  北見工業大学 工学部 電気電子工学科

• 中台 保夫

  アルバックマテリアル(株)

• 神原 正三

  アルバックマテリアル(株)

• 畠中 正信

  (株)アルバック

• 柳田 賢善

  北見工業大学電気電子工学科

• Kamijyo Masahiro

  Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology

• 梁田 修

  北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)エスイーシー

• 太田 陽

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 田口 雅裕

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 遠藤 俊博

  北大 工

• 斉藤 司

  北見工業大学大学電気電子工学科

• 川村 みどり

  Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology

• MISTRIK Jan

  静岡大学電子工学研究所

• POSTAVA Kamil

  静岡大学電子工学研究所

• ANTOS Roman

  静岡大学電子工学研究所

• 山口 十六夫

  静岡大 電子工研

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 鈴木 雅英

  小松電子金属株式会社

• 若林 佳恵

  北見工業大学工学部

• 小杉 努

  北見工業大学電気電子工学科

• 五十嵐 準一

  北見工業大学電気電子工学科

• 坂口 信寿

  北見工業大学電気電子工学科

• 榊 秀善

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 厚地 呂比奈

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 小泉 進八

  北見工業大学大学電気電子工学科

• 佐瀬 瞳子

  北見工業大学電気電子工学科

• 市川 貴朗

  北見工大

• 竹増 健

  北見工大

• 畠山 弘貴

  北見工大

• 畠山 弘貴

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 市川 貴朗

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 竹増 健

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 遠藤 俊博

  北見工業大学工学部電子工学科

• 若林 佳恵

  北見工業大学工学部:(現)(株)フォーラムエンジニアリング

• 五十嵐 準一

  北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)アルプス技研

• 徳田 奨

  北見工業大学電気電子工学科

• 佐藤 勝取

  北見工業大学電気電子工学科

• 葛西 誠也

  北海道大学

• 中田 義弘

  (株) 富士通研究所

• 小林 靖志

  (株) 富士通研究所

• 中村 友二

  (株) 富士通研究所

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著作論文

• HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• Al-Ti合金薄膜表面酸化層の形成過程の検討
• Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
• Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
• Al-Y合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
• Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
• C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
• 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
• ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
• SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
• 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
• ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
• Cu/SiO_2間の極薄VNバリヤの劣化メカニズム(電子部品・材料, 及び一般)
• Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
• Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
• 高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用
• C-6-4 Cu/VN/Siコンタクトの熱的安定性とVNバリアの構造変化
• SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
• Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
• Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
• ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
• 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
• Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)
• オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
• Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
• Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
• ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
• Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動
• Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用
• SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用
• Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
• ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
• Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
• Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
• 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの損失特性
• 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの電気的特性
• A1/Ta/Hf多層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程
• Ta介在層によるAI/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの特性改善
• ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
• n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
• Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
• n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
• CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性
• CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
• CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
• CPM2000-70 Cu上の表面保護膜としてのAl-Mo合金膜の適用
• ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
• ポリメタルゲート電極におけるW_2NおよびZrN薄膜のバリヤ特性
• Cu/Siコンタクト系におけるTiZrN拡散バリヤの低温作製
• Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
• Cu/Siコンタクト系におけるTi-Zr-N拡散バリヤの適用
• Ta-W合金拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの形成
• Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
• Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
• Cu/Si系における極薄ZrN膜の拡散バリヤ効果
• Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性
• Cu/SiコンタクトにおけるTa-W合金膜の拡散バリヤとしての評価
• Al/Nb/SiO_2/Si構造におけるAl(111)面の高配向成長と界面反応の評価
• Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果
• 高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性
• 低化成電圧で作製したTa_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱特性
• 低化成電圧で作製したTa_2N陽極酸化膜キャパシタの熱安定性
• Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト系における還移金属の拡散挙動
• Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討
• Ta_2N 陽極酸化膜キャパシタの耐熱性と酸化膜厚
• Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
• Yシリサイドを介在させたCU_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性の検討
• Cu_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性とCuメタライゼーションへの適応性の検討
• Cu/Siコンタクト系におけるCu-Zrアモルファス合金膜の適用とZr系拡散バリヤの検討
• C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
• 化学量論的なZrN薄膜の形成過程の検討とキャラクタリゼーション
• オージェ電子分光分析によるAl_3Zr/Zr/Siコンタクト系における界面固相反応の検討
• Al_3Zr金属間化合物膜の結晶化過程とその電気的特性について
• NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
• オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
• C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-1 Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi_2相の低温での共存形成(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 ナノ結晶ZrN_x膜の成長過程の検討(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
• Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
• 反応性スパッタによるZrN_xナノ結晶バリヤ膜の形成過程
• Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-4 シリコン貫通ビアに適用可能なバリヤ材料のあり方(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 Wとの合金化によるbcc Ta薄膜の相安定化とAl(111)薄膜組織の成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ナノ結晶組織を有する薄いHfN_x膜のCuに対する拡散バリヤ特性
• C-6-5 Tsvに適用可能な低温SiN。膜のキャラクタリゼーション(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-3 TiHfN合金膜のキャラクタリゼーションとCu配線のバリヤ特性(C-6.電子部品・材料)
• C-6-1 反応性スパッタ法によるTa-W-N薄膜の作製(C-6.電子部品・材料)
• シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfN_x膜のバリヤ特性
• Cu/SiコンタクトにおけるTaWN3元合金膜のバリヤ特性
• AlおよびAl_3Nb薄膜による化学的に不活性な界面の形成
• 低温プロセスによるSiN_x膜の特性評価(簿膜プロセス・材料,一般)
• Cu表面保護膜としてのAl-Nb合金薄膜の酸化特性(簿膜プロセス・材料,一般)
• C-6-2 低温作製されたスパッタ-SiN_x膜のカバレージ特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動
• C-6-3 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
• 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程
• Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成

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