TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
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概要
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Si-ULSIのCu多層配線において、さらなるバリヤ膜の極薄化と低抵抗化が望まれている。一方、我々は先の研究で反応性スパッタ法で成膜したVN_x膜が優れたバリヤ特性を示すことを実証しているので、このVN_x膜をテトラキスジェチルアミドバナジウム(TDEAV)を用いてALD法にて成膜が可能かどうかその条件を検討した。その結果、インキュベーションタイムも発生せず、かつ190℃という低温でALD成長することが明らかとされた。さらに得られたVN_x膜は、他のALDバリヤよりも成膜温度が低く、かつ成膜レートが高いことがわかり、有用なバリヤ材料としての基本特性を示していることが明らかとなった。
- 2010-07-22
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
町田 英明
気相成長(株)
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
青柳 英二
東北大学金属材料研究所
-
武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
-
須藤 弘
気相成長(株)
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
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