野矢 厚 | 北見工業大学工学部
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概要
関連著者
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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野矢 厚
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
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佐藤 勝
北見工業大学
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武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
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佐々木 克孝
北見工業大学
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青柳 英二
東北大学金属材料研究所
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佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
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早坂 祐一郎
東北大学金属材料研究所
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佐々木 貴啓
富士通株式会社
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中村 友二
富士通研究所
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吉本 健一
旭川工業高等専門学校
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町田 英明
気相成長(株)
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関 光
北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通
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山根 美佐雄
北見工業大学工学部機能材料工学科
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佐々木 貴啓
北見工業大学工学部電子工学科
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佐々木 貴啓
鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター(tedrec):シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
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野村 公一
北見工業大学工学部電子工学科
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小林 靖志
富士通研究所
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中田 義弘
富士通研究所
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徳田 奨
北見工業大学
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小林 靖志
(株)富士通研究所
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徳田 奨
北見工業大学工学部技術部
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
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伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
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長谷川 英機
北海道大学
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村上 佳隆
北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社
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御厨 貴信
北見工業大学 工学部 電気電子工学科
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大立目 晋
北見工業大学電気電子工学科
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MANIRUZZAMAN Md.
北見工業大学工学部電気電子工学科
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須藤 弘
気相成長(株)
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川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
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Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
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Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
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松下 渉
北見工業大学工学部電気電子工学科
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白重 道弘
松尾電機株式会社
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中台 保夫
アルバックマテリアル(株)
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神原 正三
アルバックマテリアル(株)
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畠中 正信
(株)アルバック
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柳田 賢善
北見工業大学電気電子工学科
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水野 源大
北見工業大学電気電子工学科
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Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
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阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
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遠藤 俊博
北大 工
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川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
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篭味 慎也
北見工業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 雅英
小松電子金属株式会社
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厚地 呂比奈
北見工業大学工学部電気電子工学科
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市川 貴朗
北見工大
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竹増 健
北見工大
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氏家 健二
北見工業大学工学部電子工学科
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市川 貴朗
北見工業大学工学部 電気電子工学科
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竹増 健
北見工業大学工学部 電気電子工学科
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遠藤 俊博
北見工業大学工学部電子工学科
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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徳田 奨
北見工業大学電気電子工学科
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川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
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佐藤 勝取
北見工業大学電気電子工学科
著作論文
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
- 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
- ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
- SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
- TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
- ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
- ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
- Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
- CuTi_2金属間化合物膜の作製とCu/CuTi_2/Siコンタクト構造への適用
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討
- Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
- Yシリサイドを介在させたCU_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性の検討
- Cu_2Y/Siコンタクト系の熱的安定性とCuメタライゼーションへの適応性の検討
- C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
- NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
- オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi_2相の低温での共存形成(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-4 シリコン貫通ビアに適用可能なバリヤ材料のあり方(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Wとの合金化によるbcc Ta薄膜の相安定化とAl(111)薄膜組織の成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ナノ結晶組織を有する薄いHfN_x膜のCuに対する拡散バリヤ特性
- C-6-5 Tsvに適用可能な低温SiN。膜のキャラクタリゼーション(C-6.電子部品・材料,一般セッション)