武山 真弓 | 北見工業大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学工学部
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佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
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佐藤 勝
北見工業大学
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武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
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青柳 英二
東北大学金属材料研究所
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佐々木 克孝
北見工業大学
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佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
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坂西 光一郎
北見工業大学工学部 電気電子工学科
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坂西 光一郎
北見工業大学電気電子工学科:(現)日立製作所
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糸井 貴臣
北見工業大学電気電子工学科:(現)千葉大学
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早坂 祐一郎
東北大学金属材料研究所
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村上 佳隆
北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社
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中西 太一
北見工業大学工学部電気電子工学科
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町田 英明
気相成長(株)
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佐藤 和美
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)日立国際電気
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水野 源大
北見工業大学電気電子工学科
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篭味 慎也
北見工業大学工学部電気電子工学科
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徳田 奨
北見工業大学
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小林 靖志
(株)富士通研究所
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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中村 友二
富士通研究所
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伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
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長谷川 英機
北海道大学
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中村 友二
(株)富士通研究所
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御厨 貴信
北見工業大学 工学部 電気電子工学科
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柴田 誠一
北見工業大学工学部電気電子工学科
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関 光
北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通
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大立目 晋
北見工業大学電気電子工学科
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MANIRUZZAMAN Md.
北見工業大学工学部電気電子工学科
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須藤 弘
気相成長(株)
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柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
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柳沢 英人
北見工業大学
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梁田 修
北見工業大学電気電子工学科
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坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
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村上 学
北見工業大学電気電子工学科
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池田 望
北見工業大学工学部 電気電子工学科
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中台 保夫
アルバックマテリアル(株)
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神原 正三
アルバックマテリアル(株)
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畠中 正信
(株)アルバック
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柳田 賢善
北見工業大学電気電子工学科
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梁田 修
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)エスイーシー
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小林 靖志
富士通研究所
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中田 義弘
富士通研究所
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鈴木 雅英
小松電子金属株式会社
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若林 佳恵
北見工業大学工学部
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小杉 努
北見工業大学電気電子工学科
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五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科
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榊 秀善
北見工業大学工学部電気電子工学科
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厚地 呂比奈
北見工業大学工学部電気電子工学科
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佐瀬 瞳子
北見工業大学電気電子工学科
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若林 佳恵
北見工業大学工学部:(現)(株)フォーラムエンジニアリング
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五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)アルプス技研
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中田 義弘
(株)富士通研究所
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徳田 奨
北見工業大学工学部技術部
著作論文
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
- C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
- 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
- ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
- SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
- 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
- ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
- Cu/SiO_2間の極薄VNバリヤの劣化メカニズム(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
- Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
- 高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用
- C-6-4 Cu/VN/Siコンタクトの熱的安定性とVNバリアの構造変化
- SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
- ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)
- Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
- Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
- CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Cu/SiコンタクトにおけるTa-W合金膜の拡散バリヤとしての評価
- Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Zrアモルファス合金膜の適用とZr系拡散バリヤの検討
- C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
- NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
- オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 ナノ結晶ZrN_x膜の成長過程の検討(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタによるZrN_xナノ結晶バリヤ膜の形成過程
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成