HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
Si-ULSIのCu配線技術では、低抵抗な窒化物バリヤを極薄化することが配線抵抗の低減にとって必要不可欠である。一方、層間絶縁膜の低誘電率化を実現させるために、熱的安定性に乏しいlow-k材料が導入されていることから、窒化物バリヤの成膜温度の低温化も同時に要求されるが、そのような要請を全て満足させるバリヤ作製方法は未だ得られていない。そこで本研究では、極薄バリヤ膜の新たな成膜手法として、スパッタ法にラジカル窒化を組み合わせた方法を提案する。その結果、本手法で得られた膜は、反応性スパッタ法で作製したHfN膜と同程度の特性が得られ、基板加熱なしの状態でも低抵抗な窒化物バリヤ膜が成膜可能であることがわかった。さらに、膜厚3〜5nm程度と極薄化したHfNバリヤをCu/SiO_2、Cu/SiOC間に適用させても、500℃以上の熱処理温度に耐えられることから、本手法により作製した極薄HfNバリヤはCuの拡散バリヤとして十分適用可能であるものと示唆される。
2006-11-02

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク