CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
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概要
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Si-ULSIにおけるCu/SiO_2間のバリヤには、薄層化とともに作製温度の低温化が可能で、低抵抗な材料であることが望まれる。本研究では、それらの要請を踏まえて、全域固溶系であるTa-W合金膜のバリヤ特性を検討した。Cu/Ta-W(1000Å)/SiO_2構造において、Ta-W合金膜の組成を変化させてその特性を検討した結果、Ta0.5W0.5を適用した場合にTa及びW単体バリヤの欠点を相補い、系を800°Cまで安定に保持し、かつSiO_2との付着力に寄与する適度な酸化-還元反応も得られることがわかった。さらに、この系はEM耐性向上に有効なCu(111)面の優先配向も同時に達成できた。また、Ta-W合金膜は低温でかつ極薄化(200Å)させた場合でも十分に安定なバリヤであり、かつ低抵抗(〜49μΩcm:200°C成膜)な材料であることから、Cu/SiO_2間のバリヤとして極めて有用な材料の1つとなり得ることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
榊 秀善
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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