Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
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概要
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Nb, Si系における界面反応の様子を、X線回折とオージェ電子分光分析によって評価した。この系では、界面反応によってmetal-rich相であるNb_3Siが熱処理温度550℃で初期形成した。一方、熱処理温度を600℃とした場合、この相とともにNb_5Si_3の形成が観測された。熱処理温度650℃では、Siのout-diffusionによってNbSi_2相の成長が見られ、Nb_3Si相、Nb_5Si_3相、NbSi_2相から成るmultiphaseの形成が観測された。熱処理温度を700℃とすると、反応相はmetal-rich相から最終形成相であるNbSi_2相へ完全に移行することが知られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-12
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
村上 佳隆
北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
中西 太一
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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