Cu/Siコンタクト系におけるTi-Zr-N拡散バリヤの適用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Cu配線コンタクト系の拡散バリヤとして、微結晶状態のTi-Zr-N膜の適用を念頭に置き、Cu/Ti-Zr-N/Siコンタクト系の熱的安定性を検討した。Ti-Zr-N膜は、複合窒化合金膜としては比較的低抵抗な材料であり、またそのバリヤ特性は750℃で1時間の熱処理に耐え得るコンタクトを実現できるという優れた特性を示すことがわかった。これは、バリヤ自身の構造を微結晶状態とし、かつ熱的に安定な複合窒化合金膜とすることでバリヤの結晶粒界を通して起こるCuの速い拡散を効果的に抑制できるためと考えられる。したがって、Ti-Zr-NバリヤはCuメタライゼーションにとって有用なバリヤ材料の一つと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-29
著者
関連論文
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al-Ti合金薄膜表面酸化層の形成過程の検討
- Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Al-Y合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
- C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
- 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
- ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
- SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
- 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
- ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
- Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討
- Cu/SiO_2間の極薄VNバリヤの劣化メカニズム(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
- Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
- 高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用
- C-6-4 Cu/VN/Siコンタクトの熱的安定性とVNバリアの構造変化
- SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
- Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
- ラジカルを用いた低温で安価な窒化物膜の作製とコーティングへの応用 (特集 新素材・ナノテクのライセンス技術)
- ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討
- CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)
- オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
- Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
- Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動
- Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用
- SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- CuTi- Cu_3Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu_3Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
- CuTi_2金属間化合物膜の作製とCu/CuTi_2/Siコンタクト構造への適用
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
- CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性
- CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- CPM2000-70 Cu上の表面保護膜としてのAl-Mo合金膜の適用
- ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
- ポリメタルゲート電極におけるW_2NおよびZrN薄膜のバリヤ特性
- Cu/Siコンタクト系におけるTiZrN拡散バリヤの低温作製
- Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
- Cu/Siコンタクト系におけるTi-Zr-N拡散バリヤの適用
- Ta-W合金拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの形成
- Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
- Cu/Si系における極薄ZrN膜の拡散バリヤ効果
- Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性
- Cu/SiコンタクトにおけるTa-W合金膜の拡散バリヤとしての評価
- Al/Nb/SiO_2/Si構造におけるAl(111)面の高配向成長と界面反応の評価
- Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果
- 高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性
- W薄膜によるCu表面の酸化保護
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Hfアモルファス合金膜の適用
- Cu/W-N/Si系におけるCuの結晶性とW-Nバリヤ特性
- Al/Al_3Nb/SiO_2構造におけるAl(111)面の高配向成長
- 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 (電子部品・材料)
- Cu/IVa遷移金属/Siコンタクト系における還移金属の拡散挙動
- Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
- Cu/Siコンタクト系におけるCu-Zrアモルファス合金膜の適用とZr系拡散バリヤの検討
- C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Al(001)/YSi2-x/Si(001)系における連続エピタキシャル成長
- 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
- NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
- オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
- ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 (電子部品・材料)
- 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程 (電子部品・材料)
- オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Cu/metal/SiO/Si構造における界面での拡散・反応挙動(1)Va遷移金属の拡散挙動 (電子部品・材料)
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 (電子部品・材料)
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi_2相の低温での共存形成(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 ナノ結晶ZrN_x膜の成長過程の検討(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
- 反応性スパッタによるZrN_xナノ結晶バリヤ膜の形成過程
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- ナノ結晶組織を有する薄いHfN_x膜のCuに対する拡散バリヤ特性
- C-6-3 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応(C-6.電子部品・材料,一般セッション)