Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
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概要
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Al/Ti/InPコンタクトにおける熱処理に伴う界面での拡散・反応挙動ならびにコンタクトの電気的な特性との関連について検討した。その結果、熱処理前の状態でTi/InP界面ではTiとPとの相互作用が生じ、同時にInPから解離されたInがTi層方向へ拡散することがわかった。また、熱処理前の試料の低温測定によりショットキー障壁高さは0.14eVと従来よりも低い値であることがわかった。このコンタクトを熱処理することにより、界面でのTiとPとの反応は均一反応として生起し、600℃熱処理後においてはAl/Ti/In/Ti-P/InPという新たな積層構造へと変化し、界面でのTi-P化合物の形成によりコンタクトの抵抗は減少し、かつオーミック特性へと変化することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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