RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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窒化物系量子細線ネットワーク構造の形成を目的とし、AlGaN/GaN細線構造のGaN(0001)加工基板上でのMBE選択成長を検討した。ECR-RIBEドライエッチングによりメサストライプ型とヘキサゴナルネットワーク型に加工した基板を初期基板として用いた。<1-100>方向と<11-20>方向に加工したメサストライプ型加工基板についてAl_<0.24>Ga_<0.76>Nを成長しテラス幅の変化を調べた結果、<11-20>方向で良好な選択性を示すことを見出した。試作した細線ネットワークはGaNバルク以外からも強いCL発光を示し、量子構造の形成を確認した。さらに細線断面形状の時間的発展やAl組成依存性について検討し、量子細線構造サイズや形状の制御性を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
長谷川 英機
北海道大学
-
及川 武
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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