多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下となる領域に周期的なトレンチを形成し、多重台形チャネル(MMC)構造を作製した。MMC HEMTでは、一般的なプレーナ型のHEMTと比べしきい値電圧が浅くなった。さらに、120Kから500Kの広い温度領域において、飽和ドレイン電流がほとんど温度依存性を示さないという驚異的な特性が得られた。2次元ポテンシャル計算により、メサ上面および側面からの電界が2DEGを包み込むように制御し、チャネル中のポテンシャルを効果的に制御していることがわかった。このような包囲ゲートによる効果や低いソース抵抗により、MMC HEMTは飽和ドレイン電流の温度依存性がほとんど見られない特徴的な振舞いを示したのではないかと推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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