デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (電子デバイス)

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概要

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• 2011-01-13

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学

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