田島 正文 | 北海道大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 北海道大学の論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 木村 健

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学工学研究科

• 加藤 寛樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川 恵理

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川 恵理

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst

• 木村 健

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 菅原 克也

  北海道大学

• 田村 隆弘

  北海道大学大学院工学研究科

• 田村 隆博

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (マイクロ波)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (電子デバイス)
• AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価

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