大井 幸多 | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
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大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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小谷 淳二
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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菅原 克也
北海道大学
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掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (マイクロ波)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (電子デバイス)
- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)