ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは,側面ゲートからの電界が2DEGを囲い込むように制御し,チャネル中のポテンシャルを効率よく制御できることが分かった.一般的なプレーナ型HEMTと比較して,浅いしきい値電圧,良好なサブスレッショルド特性,高い電流駆動能力が得られた.また,耐圧向上のためゲート-ドレイン間距離を長くとったMMC HEMTにおいても,低いknee電圧が得られた.MMC構造では,飽和領域において優れた電流安定性が確認された.プレーナ型およびMMC HEMTのオフ状態におけるドレインリーク電流特性と絶縁破壊特性を評価したところ,ほぼ同等な特性が得られた.このことから,周期的トレンチ構造に起因した絶縁破壊特性の悪化はないと考えられる.
- 2009-01-07
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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