絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にAlO_x膜を用いてGaN MIS構造を作製し、その容量-電圧特性(C-V)と紫外光応答特性(光支援C-t)を評価した。AlO_x膜は、ヂエチルアルミニウムエトキサイド溶液をECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマにより分解し、溶液が本来含むAl-O結合を堆積する方法により成膜した。作製したAlO_x/n-GaN MIS構造の、C-V特性の温度依存性は弱く、AlO_x/GaN界面に存在する界面準位は比較的低密度であることが示唆された。また、光支援C-t測定を行い紫外光照射に対する容量値の変化を測定した結果、空乏条件でのMIS構造の紫外光応答は比較的高速で、かつ照射下のピーク容量値の温度依存性は非常に弱く、MIS構造の特徴である熱安定性が示された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-10-04

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• ミツェーク マルチン

  Institute of Phisics, Silesian University of Technology

• 松山 哲也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• ミツェーク マルチン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• ミツェーク マルチン

  Institute Of Phisics Silesian University Of Technology

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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