電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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ゲート検出部に多孔質構造を持つ新しいISFET(多孔質ゲート型ISFET)を提案し,試作した素子の基本特性を評価した.p^+-InP基板上に結晶成長したn.InP層をチャネル層とし,電気化学的手法を用いてチャネル層内に多孔質構造を形成する手法を確立した.作製した多孔質ゲート型ISFETは,孔壁の表面電位の変化をソース-ドレイン電流で検出可能であり,基板裏面に形成したバックゲートに印加する電圧で感度を調整可能であることを明らかにした.さらに,pH応答特性を評価した結果,提案する多孔質ゲート型ISFETはプレーナ型素子と比べて電流変化率が大きく,化学物質の高感度検出に有望であることを示した.
- 2010-06-10
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
吉澤 直樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
岡崎 拓行
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
OKAZAKI Hiroyuki
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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