Hashizume Tomihiro | Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

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概要

• 同名の論文著者
• Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laboratoの論文著者

関連著者

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 田島 正文

  北海道大学

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北大量集センター情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 原田 脩央

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 菅原 克也

  北海道大学

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• HASHIZUME Tamotsu

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• KASAI Seiya

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

• 平松 和政

  三重大 工

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University

• 小川 恵理

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• 小川 恵理

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Kasai Seiya

  Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan

• KASAI Seiya

  Hokkaido University

• HASHIZUME Tamotsu

  Hokkaido University

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• ZHAO Hong-Quan

  Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• ZHAO Hong-Quan

  Hokkaido University

• WU Nan-Jian

  Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• ミツェーク マルチン

  Institute of Phisics, Silesian University of Technology

• Wu N‐j

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• TAMURA Takahiro

  Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te

• KOTANI Junji

  Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te

• 吉澤 直樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 岡崎 拓行

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Wu N‐j

  Univ. Aizu Fukushima Jpn

• HASHIZUME Tomihiro

  Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University

• SAKURAI Toshio

  Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University

• Wu Nan-jian

  The University Of Electro-communications

• Wu Nan-jian

  Institute Of Semiconductor Chinese Academy Of Science

• Kotani Junji

  Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld

• Sakurai Toshio

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University

• Kotani Junji

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University

• Hashizume T

  Hitachi Ltd. Saitama Jpn

• Hyodo S

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University : Physics Department Meiji University

• OKAZAKI Hiroyuki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

• Hashizume Tamotsu

  Hokkaido Polytechnic College

• Hyodo Shin-ichi

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University : Physics Department Meiji University

• ミツェーク マルチン

  Institute Of Phisics Silesian University Of Technology

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University

• Tamura Takahiro

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• Wu Nan-jian

  Institute Of Semiconductors Chinese Academy Of Sciences

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著作論文

• GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
• 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
• 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
• Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
• AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Fabrication and Characterization of Active and Sequential Circuits Utilizing Schottky-Wrap-Gate-Controlled GaAs Hexagonal Nanowire Network Structures
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
• Field Ion Scanning Tunneling Microscopy and Its Application to Oxygen Adsorption on the Ag(110) 1×1 Surface
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御

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