AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)

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概要

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• 電子情報通信学会の論文
• 2011-07-29

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

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