橋詰 保 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 長谷川 英機

  北海道大学

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学

• Hasegawa Hideki

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Hideki

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• Hasegawa H

  自治医科大学 臨床検査医学

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 田島 正文

  北海道大学

• Honda Hideyuki

  The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 木村 健

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 木村 健

  北海道大学工学研究科

• 田村 隆弘

  北海道大学大学院工学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 武山 真弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学電気電子工学科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北大量集センター情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武山 真弓

  北見工業大学

• 野矢 厚

  北見工業大学

• 小川 恵理

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川 恵理

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• ミツェーク マルチン

  Institute of Phisics, Silesian University of Technology

• 菅原 克也

  北海道大学

• 加藤 寛樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• ミツェーク マルチン

  Institute Of Phisics Silesian University Of Technology

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 中村 達也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 古川 拓也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 中村 達也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• ミツェーク マルチン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 古川 拓也

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 赤澤 正道

  北海道大学

• 大友 晋哉

  北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻

• バシーレ アルベルト

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 赤澤 正道

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Akazawa M

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Akazawa Masamichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 赤澤 正道

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 岡田 浩

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター

• 松尾 一心

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 及川 武

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松山 哲也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• バジール アルベルト

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• 吉田 俊幸

  北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 板井 順一

  北見工業大学電気電子工学科

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 藤倉 序章

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 呉 南健

  北海道大学工学研究科

• 児玉 聡

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学部電気工学科

• Hozawa H

  Department Of Biomedical Engineering Graduate School Of Biomedical Engineering Tohoku University

• 阿部 裕二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 趙 洪泉

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 遠藤 眞

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻

• 呉 南健

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 金 智

  電気通信大学

• 中崎 竜介

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科電子情報工学専攻

• Hasegawa Haruhiro

  Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center

• 地主 啓一郎

  北海道大学工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 金 智

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび

• 庄子 亮平

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻

• 宇野 正一

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 藤野 敏幸

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• サグァン アナンタタナサン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Hideki

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio

• 庄子 亮平

  北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• 陽 完治

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 陽 完治

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 兼城 千波

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター

• 小山 雄司

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

• 吉澤 直樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 岡崎 拓行

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小山 晋

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科電子情報工学専攻

• Fukui T

  Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University

• 福井 孝志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 鈴木 敏

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

• OKAZAKI Hiroyuki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

• 鈴木 敏

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻

• 小柳 諭

  北海道大学工学部

• 藤倉 序章

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻

• 武藤 守道

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター

• 鶴見 直大

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター

• 坂井 高正

  大日本スクリーン製造(株)

• 佐藤 好弘

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科

• 坂口 信寿

  北見工業大学電気電子工学科

• 厚地 呂比奈

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 福井 孝志

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 白鳥 悠太

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 中村 達也

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび大学院情報科学研究科

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部

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著作論文

• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (マイクロ波)
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (電子デバイス)
• AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 (電子デバイス)
• GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
• AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (マイクロ波)
• GaN MlS界面構造の評価
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (電子デバイス)
• ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
• ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• インジウムリン系材料への新しいゲート技術
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス
• 超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用
• GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
• ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• QMESFETの提案と試作
• QMESFETの提案と試作
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
• In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
• Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
• C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
• CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
• ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
• Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
• Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
• ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
• Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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• AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作
• 新しい界面制御技術による化合物半導体の表面パッシベーションとその量子構造への応用
• 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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• 超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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• GaNと関連材料の表面の性質とその制御
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• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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• GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価

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