藤倉 序章 | 北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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概要
関連著者
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藤倉 序章
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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藤倉 序章
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻
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村中 司
北海道大学工学研究科
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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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花田 祐樹
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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新木 盛朗
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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佐藤 好弘
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科
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福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
著作論文
- InP加工基板上へのMBE選択成長によるInGaAs/InAlAs量子細線および量子ドットの形成
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
- 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作