C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
藤倉 序章
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
藤倉 序章
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻
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