C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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赤澤 正道
北海道大学
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
-
赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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