電気化学プロセスによる金属ドットアレイの作製
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概要
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電気化学プロセスと電子ビーム(EB)リソグラフィを用い、n-GaAs上にPtドットアレイを形成した。EBリソグラフィで金属析出部分を制限することで、金属析出の初期表面に見られる直径数10nmの金属微粒子の位置制御が可能である。パルス条件を適切に選ぶことで、EBリソグラフィによる直径100nm、周期200nmのドットパターンの中心部に、直径20nmのPt微粒子の形成が可能となった。また、導電性プローブを有する原子間力顕微鏡(AFM)を用いた電気的特性の評価の結果、Pt微粒子/n-GaAs界面の電流-電圧特性は整流性を示し、ショットキー障壁が形成されているものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-21
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
-
岡田 浩
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
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